1200V H-Boost碳化硅功率模块采用全桥框架灌胶封装设计，通过8组1200V 13mΩ SiC MOS并联，高导热纳米烧结银和陶瓷覆铜基板Si3N4，实现低热阻0.1K/W，更低损耗，550A输出，满足客户800V电压平台，300kW大功率应用需求。
SiC模组参数规格
● 高导热纳米烧结银工艺
● 电热特性优异的AMB
● 椭圆柱/圆柱Pinfin散热底板
● 低热阻0.1K/W、高电流密度、低开关损耗、低杂散电感
● 最大可满足300kW电机需求
● 纯电动汽车
● 混合电动汽车
● 电机驱动
