1200V H-PACK碳化硅功率模块采用塑封半桥设计，通过8组1200V 13mΩ SiC MOSFET并联，高导热纳米烧结银和陶瓷覆铜基板Si3N4，全新哑铃型散热结构设计，更低热阻0.08K/W，更低损耗，650A输出，满足客户800V电压平台，400kW更大功率应用需求。
H-PACK SiC模组参数规格
● 高导热纳米烧结银工艺
● 电热特性优异的AMB
● 涵盖400A至600A输出有效电流范围
● 全新哑铃型散热结构设计
● 高电流密度、低开关损耗、低杂散电感
● 最大可满足200~400kW电机需求
● 纯电动汽车
● 电机驱动
