H-Boost IGBT功率模块采用全桥框架灌胶封装设计，通过多组IGBT和FRD并联，高导热性能的陶瓷覆铜基板Al2O3和Si3N4，圆柱和椭圆柱pinfin散热底板，超声波端子焊，实现低热阻0.11K/W，低损耗，大电流950A、820A、560A输出，满足客户400V/800V电压平台，100kW-200kW不同功率段应用需求。
IGBT模组参数规格
● 采用第七代Trench FS 1.6μm pitch精细微沟槽芯片
● 高导热性能的陶瓷覆铜基板Al2O3或Si3N4
● 涵盖400A至950A电流范围
● 椭圆柱/圆柱Pinfin散热底板
● 水平振幅超声波端子焊提升可靠性
● 采用直接水冷基板
● 高电流密度、低开关损耗、低杂散电感
● 集成温度检测NTC温度传感器
● 长时工作等效结温150°C、短时最大等效结温175°C
● 最大可满足200kW电机需求
● 纯电动汽车
● 混合电动汽车
● 电机驱动
