1200V SiC MOSFET采用平面栅型 SiC MOSFET设计，采用低于6um的元胞间距设计平衡电场，使用约1um的JFET设计降低沟道电阻，最终优化RSP参数。通过岛状的P+和N+设计与1.2umCT 搭配，实现充裕的欧姆接触，降低接触电阻，提高电流输出能力，同时优化元胞间距还能达到出芯率最大化，降低成本。使用约600um宽终端设计，结合丰富的Ring环结构使产品的三温耐压表现更稳定可靠，通过 AEC-Q101考核。
SiC芯片参数规格
● 采用第三代平面型SiC MOSFET设计，提高功率密度
● 岛状源区欧姆接触设计，RSP可做到 4.1
● 通过芯片栅极设计，优化栅极振荡
● 采用局部复合中心工艺，降低 30% 动态损耗
● OBC车载充电器
● 高压DC-DC转换器
● 新能源主驱逆变器
● 光伏逆变器
