IGBT芯片采用第七代 1.6um 间距的微沟槽设计，带来更大功率密度，更高的电流输出能力。在设计中，引入高温耐受Dummy结构，每7个沟槽中有6个热平衡设计。使IGBT在高温下具备稳定且优秀的参数。芯片采用间隔式SN注入设计，使短路能力达到8us以上。经测试验证，我们开发的IGBT各项参数均可对标国外大厂主流产品。在可靠性方面，芯片采用十多根非等距JTE终端设计，顺利通过车规AQG324可靠性标准及汽车产商的DV测试。最后，通过钝化层i材料和R材料的搭配，产品通过高压HV-H3TRB考核和完整AQG324 考核。
IGBT芯片参数规格
● 芯片元胞采用国际上最先进的1.6um pitch微沟槽设计，极大的增加单位面积的电流密度
● Contact采用非对称设计，提高芯片的鲁棒性，满足汽车电子不同工况下高可靠性的需求
● 元胞区采用CS层设计与工艺，降低器件的导通电阻，提高器件静态工作性能
● 背面采用减薄至 75um 的超薄片工艺
● FS层多次高能氢注入工艺
● 纯电动汽车
● 混合电动汽车
● 电机驱动
